HGP290N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGP290N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0287 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGP290N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP290N10SL даташит

 ..1. Size:818K  cn hunteck
 hgb290n10sl hgp290n10sl.pdf pdf_icon

HGP290N10SL

HGB290N10SL , HGP290N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 22.7 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 27.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 23.0 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 28 RDS(on),typ m Lead Free, Hal

Другие IGBT... HGP200N10SL, HGB210N20S, HGK210N20S, HGP210N20S, HGB220N25S, HGK220N25S, HGP220N25S, HGB290N10SL, AON7410, HGB320N20S, HGK320N20S, HGP320N20S, HGB390N25S, HGP390N25S, HGK390N25S, HGB480N15M, HGP480N15M