Справочник MOSFET. HGD058N08SL

 

HGD058N08SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD058N08SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD058N08SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  cn hunteck
 hgd058n08sl.pdf pdf_icon

HGD058N08SL

HGD058N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level4.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.9RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness110 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification

 9.1. Size:908K  cn hunteck
 hgd053n06sl hgi053n06sl.pdf pdf_icon

HGD058N08SL

HGD053N06SL , HGI053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.1RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness105 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

 9.2. Size:964K  cn hunteck
 hgd059n08al hgi059n08al.pdf pdf_icon

HGD058N08SL

, P-1HGD059N08ALHGI059N08AL80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability7.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness88 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i

 9.3. Size:908K  cn hunteck
 hgd053n06s.pdf pdf_icon

HGD058N08SL

P-1HGD053N06S60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature4.5RDS(on),typ mW Optimized for high speed switching112 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability70 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SWN7N65K2 | IRF7751GPBF | KP726A | JCS8N60BC | SML1001R3BN | LNTR4003NLT1G | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.