HGD058N08SL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGD058N08SL 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGD058N08SL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGD058N08SL даташит
hgd058n08sl.pdf
HGD058N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 4.3 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 5.9 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 110 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 70 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification
hgd059n08al hgi059n08al.pdf
, P-1 HGD059N08AL HGI059N08AL 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 88 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i
hgd053n06s.pdf
P-1 HGD053N06S 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 4.5 RDS(on),typ mW Optimized for high speed switching 112 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability 70 A ID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switchi
Другие IGBT... HGI040N06SL, HGD045NE4SL, HGD046NE6A, HGD046NE6AL, HGD050N10A, HGD053N06S, HGD053N06SL, HGI053N06SL, STF13NM60N, HGD059N08A, HGI059N08A, HGD059N08AL, HGI059N08AL, HGD077N10SL, HGI077N10SL, HGD080N10A, HGI080N10A
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BLM3404 | BL4N90 | SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205 | BM3139KT | BM3134KE | BM3134E | AO3415E | AO3401F | CS65N25AKR
Popular searches
c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet






