HGD080N10AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGD080N10AL
Маркировка: GD080N10AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 348 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HGD080N10AL
HGD080N10AL Datasheet (PDF)
hgd080n10al hgi080n10al.pdf
HGD080N10AL , P-1HGI080N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.1RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness83 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication
hgd080n10a hgi080n10a.pdf
, P-1HGD080N10AHGI080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching6.7RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability88 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in
hgi080n08sl hgd080n08sl.pdf
HGI080N08SL HGD080N08SL P-1,80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic LevelVGS=10V6.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness85 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
