HGD098N10AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD098N10AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD098N10AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD098N10AL даташит

 ..1. Size:962K  cn hunteck
hgd098n10al hgi098n10al.pdfpdf_icon

HGD098N10AL

, P-1 HGD098N10AL HGI098N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 65.9 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectificati

 4.1. Size:961K  cn hunteck
hgd098n10a hgi098n10a.pdfpdf_icon

HGD098N10AL

, P-1 HGD098N10A HGI098N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 8.8 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 67 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Cir

 5.1. Size:967K  cn hunteck
hgd098n10sl hgi098n10sl.pdfpdf_icon

HGD098N10AL

HGD098N10SL , P-1 HGI098N10SL 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching, Logic Level 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 8.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 10.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 67 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification

 9.1. Size:986K  cn hunteck
hgd090ne6a hgi090ne6a.pdfpdf_icon

HGD098N10AL

HGD090NE6A , HGI090NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.8 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 57 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit

Другие IGBT... HGD090NE6AL, HGI090NE6AL, HGD092NE6AL, HGD093N12SL, HGD095NE4SL, HGI095NE4SL, HGD098N10A, HGI098N10A, MMIS60R580P, HGI098N10AL, HGD098N10SL, HGI098N10SL, HGD100N12S, HGD100N12SL, HGD110N08A, HGI110N08A, HGD110N08AL