HGI110N10SL - описание и поиск аналогов

 

HGI110N10SL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGI110N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для HGI110N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI110N10SL технические параметры

 ..1. Size:938K  cn hunteck
 hgd110n10sl hgi110n10sl.pdf pdf_icon

HGI110N10SL

 7.1. Size:972K  cn hunteck
 hgd110n08al hgi110n08al.pdf pdf_icon

HGI110N10SL

HGD110N08AL , HGI110N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 9.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 13.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 50 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in

 7.2. Size:983K  cn hunteck
 hgd110n08a hgi110n08a.pdf pdf_icon

HGI110N10SL

HGD110N08A , HGI110N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 51 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit

Другие MOSFET... HGI098N10SL , HGD100N12S , HGD100N12SL , HGD110N08A , HGI110N08A , HGD110N08AL , HGI110N08AL , HGD110N10SL , 20N60 , HGD120N06SL , HGI120N06SL , HGD155N15S , HGD170N10A , HGI170N10A , HGD170N10AL , HGI170N10AL , HGD190N15SL .

 

 
Back to Top

 


 
.