Справочник MOSFET. HGI170N10AL

 

HGI170N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGI170N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI170N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:958K  cn hunteck
 hgd170n10al hgi170n10al.pdf pdf_icon

HGI170N10AL

HGD170N10AL , P-1HGI170N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness38.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i

 4.1. Size:957K  cn hunteck
 hgd170n10a hgi170n10a.pdf pdf_icon

HGI170N10AL

HGD170N10A , P-1HGI170N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching16.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability39 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Cir

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | QS8K13 | TK3A60DA | HGD750N15M | TTP118N08A | NTB5404N

 

 
Back to Top

 


 
.