Справочник MOSFET. HGI230N10AL

 

HGI230N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGI230N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для HGI230N10AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI230N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:965K  cn hunteck
 hgd230n10al hgi230n10al.pdf pdf_icon

HGI230N10AL

HGD230N10AL , HGI230N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability28RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness31 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested24 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

Другие MOSFET... HGD190N15SL , HGD195N15S , HGD195N15SL , HGD1K2N20ML , HGI1K2N20ML , HGD210N12SL , HGD230N10A , HGD230N10AL , IRFB4110 , HGD290N10SL , HGI290N10SL , HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML , HGD320N20S , HGD480N15M , HGI480N15M , HGD650N15S .

History: TSM75N75CZ | NCE60N1K0I | AP4543GEH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.