Справочник MOSFET. HGI090N06SL

 

HGI090N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGI090N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI090N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  cn hunteck
 hgi090n06sl hgd090n06sl.pdf pdf_icon

HGI090N06SL

HGI090N06SL HGD090N06SL, P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness61 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested40 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

 7.1. Size:986K  cn hunteck
 hgd090ne6a hgi090ne6a.pdf pdf_icon

HGI090N06SL

HGD090NE6A , HGI090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness57 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit

 7.2. Size:1141K  cn hunteck
 hgd090ne6al hgi090ne6al.pdf pdf_icon

HGI090N06SL

HGD090NE6AL , HGI090NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness58 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in

 9.1. Size:894K  cn hunteck
 hgd095ne4sl hgi095ne4sl.pdf pdf_icon

HGI090N06SL

HGD095NE4SL , HGI095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness56 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: QS8K13 | HAF1002 | HGD750N15M | NTB5404N | TK3A60DA | APL602J

 

 
Back to Top

 


 
.