Справочник MOSFET. HGI090N06SL

 

HGI090N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGI090N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для HGI090N06SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI090N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  cn hunteck
 hgi090n06sl hgd090n06sl.pdf pdf_icon

HGI090N06SL

HGI090N06SL HGD090N06SL, P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness61 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested40 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

 7.1. Size:986K  cn hunteck
 hgd090ne6a hgi090ne6a.pdf pdf_icon

HGI090N06SL

HGD090NE6A , HGI090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness57 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit

 7.2. Size:1141K  cn hunteck
 hgd090ne6al hgi090ne6al.pdf pdf_icon

HGI090N06SL

HGD090NE6AL , HGI090NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness58 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in

 9.1. Size:894K  cn hunteck
 hgd095ne4sl hgi095ne4sl.pdf pdf_icon

HGI090N06SL

HGD095NE4SL , HGI095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness56 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGD650N15S , HGD650N15SL , HGD750N15M , HGD750N15ML , HGI750N15ML , HGI050N10AL , HGI080N08SL , HGD080N08SL , AO3400 , HGD090N06SL , HGI120N10A , HGD120N10A , HGI120N10AL , HGD120N10AL , HGI130N12SL , HGD130N12SL , HGI200N10SL .

History: AM2359PE | SLP7N65C | HY1607M | 30N06L-TN3-R | LSB60R030HT | JCS5AN50V | AP99LT06GI-HF

 

 
Back to Top

 


 
.