Справочник MOSFET. HGN024N06SL

 

HGN024N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN024N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN024N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  cn hunteck
 hgn024n06sl.pdf pdf_icon

HGN024N06SL

HGN024N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.7RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness161 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

 9.1. Size:901K  cn hunteck
 hgn023ne6a.pdf pdf_icon

HGN024N06SL

HGN023NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability162 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

 9.2. Size:763K  cn hunteck
 hgn027n06s.pdf pdf_icon

HGN024N06SL

HGN027N06S P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching2.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability152 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

 9.3. Size:905K  cn hunteck
 hgn028ne6a.pdf pdf_icon

HGN024N06SL

HGN028NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.4RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability130 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MTEE2N20FP | 2SK3901-ZK | MTE13N08J3 | 2N4338 | SI1402DH | VIS30023 | OSG65R2K4FF

 

 
Back to Top

 


 
.