HGN035N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN035N10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 923 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN035N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN035N10A даташит

 ..1. Size:955K  cn hunteck
 hgn035n10a.pdf pdf_icon

HGN035N10A

P-1 HGN035N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 3.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 144 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 0.1. Size:958K  cn hunteck
 hgn035n10al.pdf pdf_icon

HGN035N10A

P-1 HGN035N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 3.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 4.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 149 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free Application Drain Synchronous Rectific

 7.1. Size:916K  cn hunteck
 hgn035n08al.pdf pdf_icon

HGN035N10A

HGN035N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 4.2 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 118 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Recti

 7.2. Size:908K  cn hunteck
 hgn035n08a.pdf pdf_icon

HGN035N10A

HGN035N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 3 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 121 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGN027N06S, HGN028N08A, HGN028NE6A, HGN028NE6AL, HGN029NE4SL, HGN032NE4S, HGN035N08A, HGN035N08AL, IRFB31N20D, HGN035N10AL, HGN036N08A, HGN036N08AL, HGN036N08S, HGN036N08SL, HGN040N06S, HGN040N06SL, HGN042N10A