HGN042N10SL - аналоги и даташиты транзистора

 

HGN042N10SL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGN042N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1341 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN042N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN042N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1077K  cn hunteck
 hgn042n10sl.pdf pdf_icon

HGN042N10SL

P-1HGN042N10SL100V N-Ch Power MOSFET100 VFeature VDS3.5 Optimized for high speed smooth switching,Logic Level RDS(on),typ VGS=10V mW4.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability116 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication

 4.1. Size:1155K  cn hunteck
 hgn042n10s.pdf pdf_icon

HGN042N10SL

HGN042N10S P-1100V N-Ch Power MOSFET VDSFeature 100 V3.7 RDS(on),typ mW Optimized for high speed smooth switching112 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability60 A ID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching

 5.1. Size:786K  cn hunteck
 hgn042n10al.pdf pdf_icon

HGN042N10SL

HGN042N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature3.4RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth switching,Logic level4.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability129 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication

 5.2. Size:777K  cn hunteck
 hgn042n10a.pdf pdf_icon

HGN042N10SL

HGN042N10A P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature3.7RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching128 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability60 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGN036N08AL , HGN036N08S , HGN036N08SL , HGN040N06S , HGN040N06SL , HGN042N10A , HGN042N10AL , HGN042N10S , IRF9640 , HGN045NE4SL , HGN046NE6A , HGN046NE6AL , HGN050N10A , HGN050N10AL , HGN052N10SL , HGN053N06S , HGN053N06SL .

 

 
Back to Top

 


 
.