HGN055N12S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN055N12S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN055N12S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN055N12S даташит

 ..1. Size:892K  cn hunteck
hgn055n12s.pdfpdf_icon

HGN055N12S

P-1 HGN055N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching 4.8 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 111 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High S

 0.1. Size:902K  cn hunteck
hgn055n12sl.pdfpdf_icon

HGN055N12S

P-1 HGN055N12SL 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 4.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 5.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 96 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free Application Drain Synchronous Rectifica

 9.1. Size:902K  cn hunteck
hgn053n06s.pdfpdf_icon

HGN055N12S

HGN053N06S P-1 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 4.1 RDS(on),typ mW Optimized for high speed switching 91 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability 60 A ID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching

 9.2. Size:891K  cn hunteck
hgn059n08a.pdfpdf_icon

HGN055N12S

HGN059N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 4.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 83 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID (Pacakge Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hig

Другие IGBT... HGN045NE4SL, HGN046NE6A, HGN046NE6AL, HGN050N10A, HGN050N10AL, HGN052N10SL, HGN053N06S, HGN053N06SL, IRF730, HGN055N12SL, HGN058N08SL, HGN059N08A, HGN059N08AL, HGN070N12S, HGN070N12SL, HGN077N10SL, HGN080N08SL