Справочник MOSFET. HGN055N12S

 

HGN055N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN055N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN055N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:892K  cn hunteck
 hgn055n12s.pdf pdf_icon

HGN055N12S

P-1HGN055N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.8RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability111 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High S

 0.1. Size:902K  cn hunteck
 hgn055n12sl.pdf pdf_icon

HGN055N12S

P-1HGN055N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level4.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness96 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectifica

 9.1. Size:902K  cn hunteck
 hgn053n06s.pdf pdf_icon

HGN055N12S

HGN053N06S P-160V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature4.1RDS(on),typ mW Optimized for high speed switching91 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability60 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching

 9.2. Size:891K  cn hunteck
 hgn059n08a.pdf pdf_icon

HGN055N12S

HGN059N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching4.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability83 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID (Pacakge Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hig

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGN045NE4SL , HGN046NE6A , HGN046NE6AL , HGN050N10A , HGN050N10AL , HGN052N10SL , HGN053N06S , HGN053N06SL , BS170 , HGN055N12SL , HGN058N08SL , HGN059N08A , HGN059N08AL , HGN070N12S , HGN070N12SL , HGN077N10SL , HGN080N08SL .

History: ZXMP3A17E6TA | IRFR9111

 

 
Back to Top

 


 
.