HGN055N12S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGN055N12S 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
📄📄 Копировать ⓘ
Аналог (замена) для HGN055N12S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGN055N12S даташит
hgn055n12s.pdf
P-1 HGN055N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching 4.8 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 111 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High S
hgn055n12sl.pdf
P-1 HGN055N12SL 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 4.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 5.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 96 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free Application Drain Synchronous Rectifica
hgn053n06s.pdf
HGN053N06S P-1 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 4.1 RDS(on),typ mW Optimized for high speed switching 91 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability 60 A ID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching
hgn059n08a.pdf
HGN059N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 4.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 83 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID (Pacakge Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hig
Другие IGBT... HGN045NE4SL, HGN046NE6A, HGN046NE6AL, HGN050N10A, HGN050N10AL, HGN052N10SL, HGN053N06S, HGN053N06SL, IRF730, HGN055N12SL, HGN058N08SL, HGN059N08A, HGN059N08AL, HGN070N12S, HGN070N12SL, HGN077N10SL, HGN080N08SL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet










