Справочник MOSFET. HGN115N15S

 

HGN115N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN115N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 239 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN115N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN115N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1146K  cn hunteck
 hgn115n15s.pdf pdf_icon

HGN115N15S

HGN115N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching 9.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 70 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Har

 0.1. Size:755K  cn hunteck
 hgn115n15sl.pdf pdf_icon

HGN115N15S

HGN115N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability9.4RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness73.9 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronou

 9.1. Size:914K  cn hunteck
 hgn110n08al.pdf pdf_icon

HGN115N15S

HGN110N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 9.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness48 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested30 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Re

 9.2. Size:902K  cn hunteck
 hgn110n08a.pdf pdf_icon

HGN115N15S

HGN110N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness48 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC i

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGN098N10AL , HGN098N10SL , HGN099N15S , HGN100N12S , HGN100N12SL , HGN110N08A , HGN110N08AL , HGN110N10SL , IRFP260 , HGN115N15SL , HGN119N15S , HGN120N06SL , HGN120N10A , HGN120N10AL , HGN130N12S , HGN130N12SL , HGN155N15S .

History: AFN12N60T220T | AFN7400 | 2N4091

 

 
Back to Top

 


 
.