HGS059N08A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS059N08A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 502 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS059N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS059N08A даташит

 ..1. Size:903K  cn hunteck
 hgs059n08a.pdf pdf_icon

HGS059N08A

HGS059N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 5.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 17 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8

 0.1. Size:908K  cn hunteck
 hgs059n08al.pdf pdf_icon

HGS059N08A

 9.1. Size:914K  cn hunteck
 hgs054ne4sl.pdf pdf_icon

HGS059N08A

HGS054NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 5.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 20 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS SOIC-8 Hard Swit

Другие IGBT... HGP1K2N25ML, HGP230N10A, HGP2K4N25ML, HGS038NE4SL, HGS046NE6A, HGS046NE6AL, HGS048N06SL, HGS054NE4SL, AO3400A, HGS059N08AL, HGS060N06SL, HGS063N08SL, HGS080N10AL, HGS080N10SL, HGS085N10SL, HGS085NE6AL, HGS089N08SL