HGS080N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS080N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 597 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS080N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS080N10SL даташит

 ..1. Size:917K  cn hunteck
 hgs080n10sl.pdf pdf_icon

HGS080N10SL

HGS080N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an

 5.1. Size:907K  cn hunteck
 hgs080n10al.pdf pdf_icon

HGS080N10SL

HGS080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14.4 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.1. Size:926K  cn hunteck
 hgs085n10sl.pdf pdf_icon

HGS080N10SL

HGS085N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.4 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.2. Size:927K  cn hunteck
 hgs085ne6al.pdf pdf_icon

HGS080N10SL

HGS085NE6AL P-1 70V N-Ch Power MOSFET Feature 70 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application SOIC-8 Synchronous Rectification in SMPS Drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGS046NE6AL, HGS048N06SL, HGS054NE4SL, HGS059N08A, HGS059N08AL, HGS060N06SL, HGS063N08SL, HGS080N10AL, IRFZ48N, HGS085N10SL, HGS085NE6AL, HGS089N08SL, HGS090N06SL, HGS090NE6A, HGS090NE6AL, HGS092NE6AL, HGS095NE4SL