HGS080N10SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGS080N10SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 597 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для HGS080N10SL
HGS080N10SL Datasheet (PDF)
hgs080n10sl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGS080N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an
hgs080n10al.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGS080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14.4 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching
hgs085n10sl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGS085N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching
hgs085ne6al.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGS085NE6AL P-170V N-Ch Power MOSFETFeature70 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationSOIC-8 Synchronous Rectification in SMPSDrain
hgs089n08sl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGS089N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .