Справочник MOSFET. HGS110N08AL

 

HGS110N08AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGS110N08AL
   Маркировка: GS110N08AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HGS110N08AL

 

 

HGS110N08AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  cn hunteck
 hgs110n08al.pdf

HGS110N08AL HGS110N08AL

HGS110N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level9.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS

 4.1. Size:903K  cn hunteck
 hgs110n08a.pdf

HGS110N08AL HGS110N08AL

HGS110N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8Gat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top