HGS110N08AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS110N08AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS110N08AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS110N08AL даташит

 ..1. Size:908K  cn hunteck
 hgs110n08al.pdf pdf_icon

HGS110N08AL

 4.1. Size:903K  cn hunteck
 hgs110n08a.pdf pdf_icon

HGS110N08AL

HGS110N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 Gat

Другие IGBT... HGS090NE6AL, HGS092NE6AL, HGS095NE4SL, HGS098N06SL, HGS098N10A, HGS098N10AL, HGS098N10SL, HGS110N08A, IRFP064N, HGS120N06SL, HGS120N10AL, HGS120N10SL, HGS130N12SL, HGS170N10AL, HGS195N15SL, HGS210N12SL, HGS220N10SL