Справочник MOSFET. HGS110N08AL

 

HGS110N08AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS110N08AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS110N08AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS110N08AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  cn hunteck
 hgs110n08al.pdf pdf_icon

HGS110N08AL

HGS110N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level9.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS

 4.1. Size:903K  cn hunteck
 hgs110n08a.pdf pdf_icon

HGS110N08AL

HGS110N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8Gat

Другие MOSFET... HGS090NE6AL , HGS092NE6AL , HGS095NE4SL , HGS098N06SL , HGS098N10A , HGS098N10AL , HGS098N10SL , HGS110N08A , 5N50 , HGS120N06SL , HGS120N10AL , HGS120N10SL , HGS130N12SL , HGS170N10AL , HGS195N15SL , HGS210N12SL , HGS220N10SL .

History: OSG65R099HF | AP60N2R5IN | 2SK4090-ZK-E2-AY | STL60N10F7 | LSB60R030HT | BUK9510-100B | RTR025N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.