Справочник MOSFET. HGS230N10AL

 

HGS230N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS230N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS230N10AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS230N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  cn hunteck
 hgs230n10al.pdf pdf_icon

HGS230N10AL

HGS230N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability28.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness8 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGS120N06SL , HGS120N10AL , HGS120N10SL , HGS130N12SL , HGS170N10AL , HGS195N15SL , HGS210N12SL , HGS220N10SL , IRF540N , HGS290N10SL , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S , HGS650N15SL , HGS750N15M , HGS750N15ML , HGT007NE6A .

History: PSMN5R0-100PS | AUIRFSL8403 | DMN4027SSS | HTJ600N06 | PH6325L | WFP9N20

 

 
Back to Top

 


 
.