HGS230N10AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS230N10AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS230N10AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS230N10AL даташит

 ..1. Size:910K  cn hunteck
 hgs230n10al.pdf pdf_icon

HGS230N10AL

HGS230N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 21.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 28.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 8 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие IGBT... HGS120N06SL, HGS120N10AL, HGS120N10SL, HGS130N12SL, HGS170N10AL, HGS195N15SL, HGS210N12SL, HGS220N10SL, IRF540, HGS290N10SL, HGS380N12S, HGS480N15M, HGS650N15S, HGS650N15SL, HGS750N15M, HGS750N15ML, HGT007NE6A