HGW059N12SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGW059N12SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для HGW059N12SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGW059N12SL даташит

 ..1. Size:805K  cn hunteck
 hgw059n12sl.pdf pdf_icon

HGW059N12SL

HGW059N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 5 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 160 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

 4.1. Size:803K  cn hunteck
 hgw059n12s.pdf pdf_icon

HGW059N12SL

HGW059N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching 4.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 160 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 113 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed

 9.1. Size:773K  cn hunteck
 hgw053n06sl.pdf pdf_icon

HGW059N12SL

HGW053N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 4.1 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 5.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 105 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drai

 9.2. Size:786K  cn hunteck
 hgw055n10sl.pdf pdf_icon

HGW059N12SL

HGW055N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature 4.9 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 5.8 RDS(on),typ VGS=4.5V m switching,Logic level 153 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability 120 A ID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Application DC-DC Conversion D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGT022N12S, HGT025N10A, HGT035N12S, HGT041N15S, HGT055N15S, HGW053N06SL, HGW055N10SL, HGW059N12S, IRF630, HGW100N12S, HGW100N12SL, HGW105N15M, HGW105N15SL, HGW130N12S, HGW190N15S, HGW190N15SL, HGW195N15S