Справочник MOSFET. HGW059N12SL

 

HGW059N12SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGW059N12SL
   Маркировка: W059N12SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGW059N12SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:805K  cn hunteck
hgw059n12sl.pdfpdf_icon

HGW059N12SL

HGW059N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

 4.1. Size:803K  cn hunteck
hgw059n12s.pdfpdf_icon

HGW059N12SL

HGW059N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness113 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed

 9.1. Size:773K  cn hunteck
hgw053n06sl.pdfpdf_icon

HGW059N12SL

HGW053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.1RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness105 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrai

 9.2. Size:786K  cn hunteck
hgw055n10sl.pdfpdf_icon

HGW059N12SL

HGW055N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature4.9RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 153 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability120 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion D

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: UPA1772G | SSP65R260S2 | SVG042R1NL5 | WMQ023N03LG2 | ECH8410 | F11F60CPM | PSMN2R0-30PL

 

 
Back to Top

 


 
.