Справочник MOSFET. HGW105N15SL

 

HGW105N15SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGW105N15SL
   Маркировка: W105N15SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для HGW105N15SL

 

 

HGW105N15SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:808K  cn hunteck
 hgw105n15sl.pdf

HGW105N15SL HGW105N15SL

HGW105N15SLP-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability9ID (Sillicon Limited) m Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification

 5.1. Size:804K  cn hunteck
 hgw105n15m.pdf

HGW105N15SL HGW105N15SL

HGW105N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-262 8.8RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability120 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2

 9.1. Size:787K  cn hunteck
 hgw100n12sl.pdf

HGW105N15SL HGW105N15SL

HGW100N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness109 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin

 9.2. Size:780K  cn hunteck
 hgw100n12s.pdf

HGW105N15SL HGW105N15SL

HGW100N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-262 8.6RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability109 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2TO-262

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top