Справочник MOSFET. HTD040N03

 

HTD040N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD040N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 548 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD040N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD040N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  cn hunteck
 htd040n03.pdf pdf_icon

HTD040N03

HTD040N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness90 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part

Другие MOSFET... HGW130N12S , HGW190N15S , HGW190N15SL , HGW195N15S , HTA1K2P10 , HTB025N03 , HTD025N03 , HTD035N03 , AON7410 , HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 .

History: IRFS4228PBF | HM30N04Q | FIR7NS70ALG | AFN1912

 

 
Back to Top

 


 
.