HTM120N03P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTM120N03P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3
Аналог (замена) для HTM120N03P
HTM120N03P Datasheet (PDF)
htm120n03p.pdf

HTM120N03P P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness11RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested28 AID Lead FreeApplication Hard Switching and High Speed CircuitDrainDFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number Pa
htm120n03.pdf

HTM120N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness18.5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number
Другие MOSFET... HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HY1906P , HTM150A02 , HTM200N03 , HTM200P03 , HTN019N03P , HTN020N03 , HTN020N04P , HTN021N03 , HTN027N03P .
History: RJK03B9DPA | BRCS065N08SHZC | IXFA26N50P3 | SQ2361ES
History: RJK03B9DPA | BRCS065N08SHZC | IXFA26N50P3 | SQ2361ES



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet