HTN070A03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTN070A03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для HTN070A03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTN070A03 даташит

 ..1. Size:1522K  cn hunteck
 htn070a03.pdf pdf_icon

HTN070A03

HTN070A03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature Q1 Q2 V High Speed Power Switching, Logic Level 30 30 V VDS Enhanced Avalanche Ruggedness 7 3.5 RDS(on),max mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 46 78 A ID Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit DFN5x6 DC/DC in Telecoms and Inductrial Part Number Package Marking HTN07

Другие IGBT... HTN020N04P, HTN021N03, HTN027N03P, HTN027P02, HTN030N03, HTN035N04P, HTN036N03P, HTN036P03, IRF840, HTO350N03, HTO500P03, HTP2K1P10, HTS050N03, HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03