HTN070A03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTN070A03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для HTN070A03
HTN070A03 Datasheet (PDF)
htn070a03.pdf

HTN070A03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature Q1 Q2 V High Speed Power Switching, Logic Level 30 30 VVDS Enhanced Avalanche Ruggedness 7 3.5RDS(on),max mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 46 78 AID Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit DFN5x6 DC/DC in Telecoms and Inductrial Part Number Package MarkingHTN07
Другие MOSFET... HTN020N04P , HTN021N03 , HTN027N03P , HTN027P02 , HTN030N03 , HTN035N04P , HTN036N03P , HTN036P03 , 20N60 , HTO350N03 , HTO500P03 , HTP2K1P10 , HTS050N03 , HTS060N03 , HTS075P03 , HTS085P03E , HTS110A03 .
History: NCE65T540 | DH100P28B | IXTH80N65X2 | MTN7N60E3 | CEB630N | PSMN2R6-30YLC
History: NCE65T540 | DH100P28B | IXTH80N65X2 | MTN7N60E3 | CEB630N | PSMN2R6-30YLC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent