HTS220C04 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTS220C04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для HTS220C04
HTS220C04 Datasheet (PDF)
hts220c04.pdf

HTS220C04 P-140V Dual N+P Channel Power MOSFETN-CH P-CHFeature40 -40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level22 42RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness7.5 -6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorG2S2G1S1D1D2Part Number Package Marki
Другие MOSFET... HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 , HTS180P03T , HTS200N03 , HTS200P03 , HTS210C03 , P55NF06 , HTS240B03 , HTS280C03 , HTS410P06 , HTS450P03 , HTS500B03 , HTS600A06 , HTS600C06 , SFB021N80C3 .
History: IRFP453
History: IRFP453



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124