HTS220C04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HTS220C04
Маркировка: TS220C04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HTS220C04 Datasheet (PDF)
hts220c04.pdf

HTS220C04 P-140V Dual N+P Channel Power MOSFETN-CH P-CHFeature40 -40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level22 42RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness7.5 -6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorG2S2G1S1D1D2Part Number Package Marki
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SVGP104R1NL5 | UT3414
History: SVGP104R1NL5 | UT3414



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124