Справочник MOSFET. SFB027N100C3

 

SFB027N100C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFB027N100C3
   Маркировка: 027N100C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 106 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB027N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7215K  cn scilicon
 sfp030n100c3 sfb027n100c3.pdf pdf_icon

SFB027N100C3

SFP030N100C3, SFB027N100C3 N-MOSFET 100V, 2.5m, 190AProduct SummaryFeature High Speed Power SwitchingVDS100V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on)2.5m Enhanced Avalanche RuggednessID 190A100% DVDS TestedApplication Synchronous Rectification in SMPS100% Avalanche Tested Hard Switching and High Speed Circuit100% Avalanche Tested100%

 9.1. Size:1945K  cn scilicon
 sfp024n80c3 sfb021n80c3.pdf pdf_icon

SFB027N100C3

SFP024N80C3,SFB021N80C3N-MOSFET 80V, 1.9m, 120AProduct SummaryFeaturesVDS Extremely low on-resistance RDS(on) 80V Qualified according to JEDEC criteriaRDS(on) typ. 1.9m Fast switchingID120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive General purpose applicationsDGSSFP024N80C3 SFB021N80C3Package Marking and

 9.2. Size:1314K  cn scilicon
 sfp024n80i3 sfb021n80i3.pdf pdf_icon

SFB027N100C3

SFP024N80I3,SFB021N80I3N-MOSFET 80V, 1.9m, 120AProduct SummaryFeaturesVDS Extremely low on-resistance RDS(on) 80V Qualified according to JEDEC criteriaRDS(on) typ. 1.9m Fast switchingID120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive General purpose applicationsDGSSFP024N80I3 SFB021N80I3Package Marking and

 9.3. Size:1334K  cn scilicon
 sfp028n100c3 sfb025n100c3.pdf pdf_icon

SFB027N100C3

SFP028N100C3,SFB025N100C3N-MOSFET 100V, 2.4m, 120AFeaturesProduct Summary Enhancement ModeVDS100V Very Low On-ResistanceRDS(on) typ. 2.4m Fast SwitchingID120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and driveDC/DC Converter General Purpose ApplicationsDGSSFP028N100C3 SFB025N100C3Package Marking and Orde

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQB34P10TM | STD100N03LT4 | BRCS1C5P06MA

 

 
Back to Top

 


 
.