Справочник MOSFET. SDU04N65

 

SDU04N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDU04N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для SDU04N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDU04N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  samhop
 sdu04n65 sdd04n65.pdf pdf_icon

SDU04N65

GreenSDU/D04N65ProductSamHop Microelectronics corp.Ver 2.3N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.650V 4A 2.5 @VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERING IN

 7.1. Size:155K  samhop
 sdu04n60 sdd04n60.pdf pdf_icon

SDU04N65

GreenProduct SDU/D04N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.2N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.600V 4A 2.1 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERIN

Другие MOSFET... FDS9934C , SDU05N04 , FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , FDSS2407 , FDT3612 , IRF540N , FDT3N40 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 , FDT86106LZ , SDU02N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.