SFB347N100C2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFB347N100C2
Маркировка: 347N100C2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 78 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 26 ns
Выходная емкость (Cd): 96 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SFB347N100C2
SFB347N100C2 Datasheet (PDF)
sfp60n100 sfb60n100 sfp350n100c2 sfb347n100c2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SFP60N100,SFB60N100SFP350N100C2,SFB347N100C2N-MOSFET 100V, 30m, 36AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 30m Qualified according to JEDEC criteria ID36AApplications100% DVDS Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested Battery management UPS (Uninterrupible
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
![SFB347N100C2](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SFB347N100C2](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SFB347N100C2](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C