SFD347N100C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFD347N100C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SFD347N100C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFD347N100C2 даташит

 ..1. Size:690K  cn scilicon
 sfd347n100c2.pdf pdf_icon

SFD347N100C2

SFD347N100C2 Trench N-MOSFET 100V, 30m , 36A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 30m Qualified according to JEDEC criteria ID 36A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100%

Другие IGBT... SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, AO4407A, SFG014N100BC3, SFG019N100C3, SFG025N150C3, SFI085N68C2, SFP024N80C3, SFP024N80I3, SFP026N100C3, SFP026N30BC3