SFW027N100C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFW027N100C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 341 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 106 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 114 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0027 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для SFW027N100C3
SFW027N100C3 Datasheet (PDF)
sfw027n100c3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SFW027N100C3 N-MOSFET 100V, 2.2m, 190AFeature Product Summary High Speed Power SwitchingVDS100V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on) typ. 2.2m Enhanced Avalanche RuggednessID190A100% DVDS TestedApplication100% Avalanche Tested Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms and InductrialD
sfw025n100c3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SFW025N100C3N-MOSFET 100V, 2.3m, 190AFeaturesProduct Summary Enhancement ModeVDS100V Very Low On-ResistanceRDS(on) typ. 2.3m Fast SwitchingID190A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and driveDC/DC Converter General Purpose ApplicationsDGSSFW025N100C3Package Marking and Ordering InformationPart # M
sfw025n100i3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SFW025N100I3N-MOSFET 100V, 2.3m, 190AFeaturesProduct Summary Enhancement ModeVDS100V Very Low On-ResistanceRDS(on) typ. 2.3m Fast SwitchingID190A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and driveDC/DC Converter General Purpose ApplicationsDGSSFW025N100I3Package Marking and Ordering InformationPart # M
sfw024n100c3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SFW024N100C3 N-MOSFET 100V, 2.0m, 210AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 2.0m DS(on) typ. Fast switchingI 210A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .