JCS10N70S - описание и поиск аналогов

 

JCS10N70S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS10N70S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JCS10N70S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS10N70S даташит

 ..1. Size:2011K  jilin sino
jcs10n70c jcs10n70b jcs10n70s jcs10n70f.pdfpdf_icon

JCS10N70S

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10A VDSS 700 V Rdson-max 1.10 @Vgs=10V Qg-typ 33.6nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supply Electronic ballasts UPS UPS FEATURE

 6.1. Size:2289K  jilin sino
jcs10n70ch jcs10n70fh.pdfpdf_icon

JCS10N70S

 8.1. Size:953K  jilin sino
jcs10n80fc jcs10n80gdc.pdfpdf_icon

JCS10N70S

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

 8.2. Size:1202K  jilin sino
jcs10n80f.pdfpdf_icon

JCS10N70S

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

Другие MOSFET... AJCS160N08I , JCS10N65B , JCS10N65C , JCS10N65F , JCS10N65S , JCS10N70B , JCS10N70C , JCS10N70F , IRF3205 , JCS10N80FC , JCS10N80GDC , JCS110N07I , JCS11N90ABT , JCS11N90WT , JCS12N65BEI , JCS12N65CEI , JCS12N65FEI .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.