JCS11N90ABT - аналоги и даташиты транзистора

 

JCS11N90ABT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JCS11N90ABT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO3PB
 

 Аналог (замена) для JCS11N90ABT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS11N90ABT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1513K  jilin sino
 jcs11n90wt jcs11n90abt.pdf pdf_icon

JCS11N90ABT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS11N90T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 11 A VDSS 900 V Rdson-max1.10 Vgs=10V Qg-typ 66nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 9.1. Size:502K  jilin sino
 jcs110n07.pdf pdf_icon

JCS11N90ABT

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I Package MAIN CHARACTERISTICS 110A I D 70V VDSS Rdson-max 8m - (@Vgs=10V 72nC Qg-typ APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Aut

 9.2. Size:476K  jilin sino
 jcs110n07i.pdf pdf_icon

JCS11N90ABT

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 70V Rdson-max - 8m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

Другие MOSFET... JCS10N65S , JCS10N70B , JCS10N70C , JCS10N70F , JCS10N70S , JCS10N80FC , JCS10N80GDC , JCS110N07I , IRF540N , JCS11N90WT , JCS12N65BEI , JCS12N65CEI , JCS12N65FEI , JCS12N65SEI , JCS13AN50BC , JCS13AN50CC , JCS13AN50FC .

History: IRF7324PBF-1 | 2SK3705 | APM2054NV | IRFI3306G | STM6960 | 2SK1499

 

 
Back to Top

 


 
.