JCS6AN70R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JCS6AN70R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 28.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
JCS6AN70R Datasheet (PDF)
jcs6an70v jcs6an70r jcs6an70f.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6AN70E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6A VDSS 700V Rdson-max 1.70 Vgs=10V Qg-Typ 21.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE
jcs6an135aba jcs6an135wa.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6AN135A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6 A VDSS 1350 V RdsonVgs=10V 3.5 -MAX Qg-Typ 58.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge power supplies
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SM7A24NSFP | VSE002N03MS-G | PJU5NA80 | 2SK3430-ZJ | WM10N02G | HSS2302A | R6535KNZ1
History: SM7A24NSFP | VSE002N03MS-G | PJU5NA80 | 2SK3430-ZJ | WM10N02G | HSS2302A | R6535KNZ1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor