JCS7N70V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS7N70V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS7N70V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS7N70V даташит

 ..1. Size:1944K  jilin sino
 jcs7n70v jcs7n70r jcs7n70c jcs7n70f jcs7n70s jcs7n70b.pdf pdf_icon

JCS7N70V

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 700 V Rdson-max 1.6 @Vgs=10V Qg-typ 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATUR

 7.1. Size:1228K  jilin sino
 jcs7n70fe.pdf pdf_icon

JCS7N70V

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N70FE Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 700 V Rdson-max(@Vgs=10V) 1.35 Qg-typ 25.3 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURES

 9.1. Size:755K  jilin sino
 jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon

JCS7N70V

 9.2. Size:887K  jilin sino
 jcs7n120aba jcs7n120wa.pdf pdf_icon

JCS7N70V

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N120A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7 A VDSS 1200 V Rdson Vgs=10V 1.5 -MAX Qg-Typ 61.13 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS7N65SE, JCS7N65VE, JCS7N70B, JCS7N70C, JCS7N70F, JCS7N70FE, JCS7N70R, JCS7N70S, IRF540, JCS7N80FC, JCS7N95ABA, JCS7N95CA, JCS7N95FA, JCS7N95SA, JCS80N08I, JCS80N10I, JCS86N25ABT