MP10N60EIS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MP10N60EIS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 336 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 146 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.15 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для MP10N60EIS
MP10N60EIS Datasheet (PDF)
mp10n60eif mp10n60eib mp10n60eis mp10n60eic.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET MP10N60EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10A VDSS 600V Rdson-max 0.66 Vgs=10V Qg-Typ 35nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE
fmp10n60e.pdf
FMP10N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)
tmp10n60a tmpf10n60a.pdf
TMP10N60A(G)/TMPF10N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 10A
tmp10n60 tmpf10n60.pdf
TMP10N60/TMPF10N60TMP10N60G/TMPF10N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(on) = 0.75 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP10N60 / TMPF10N60 TO-220 / TO-220F TMP10N60 / TMPF10N60 RoHSTMP10N60G / TMPF10N60G
wmm10n60c4 wml10n60c4 wmo10n60c4 wmn10n60c4 wmp10n60c4 wmk10n60c4.pdf
WMM10N60C4, WML10N6 WM C4 60C4, MO10N60CWMN10N60C4, WMP10N6 WM C4 60C4, MK10N60C 600V 0.52 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
