Справочник MOSFET. MP15N60EIF

 

MP15N60EIF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MP15N60EIF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53.73 nC
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для MP15N60EIF

 

 

MP15N60EIF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1290K  jilin sino
mp15n60eif mp15n60eib mp15n60eis mp15n60eic.pdf

MP15N60EIF
MP15N60EIF

N RN-CHANNEL MOSFET MP15N60EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 15A VDSS 600V Rdson-max 0.48 Vgs=10V Qg-Typ 53.73nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 7.1. Size:666K  way-on
wml15n60c4 wmk15n60c4 wmm15n60c4 wmn15n60c4 wmp15n60c4 wmo15n60c4.pdf

MP15N60EIF
MP15N60EIF

WML1 MM15N60C15N60C4, WMK15N60C4, WM C4 WMN15N60C4, WMP15N60C4, WM C4 MO15N60C 600V n Power MOSFETV 0.26 Super JunctionDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 8.1. Size:669K  way-on
wml15n65c4 wmk15n65c4 wmm15n65c4 wmn15n65c4 wmp15n65c4 wmo15n65c4.pdf

MP15N60EIF
MP15N60EIF

WML1 MM15N65C15N65C4, WMK15N65C4, WM C4 WMN15N65C4, WMP15N65C4, WM C4 MO15N65C 650V n Power MOSFETV 0.26 Super JunctionDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 8.2. Size:668K  way-on
wml15n65f2 wmk15n65f2 wmm15n65f2 wmn15n65f2 wmp15n65f2 wmo15n65f2.pdf

MP15N60EIF
MP15N60EIF

WML N65F2, WM F2 L15N65F2, WMK15N MM15N65F WMN , WMP15N MO15N65FN15N65F2, N65F2, WM F2 650V Super Ju MOSFETV 0.29 S unction Power M TDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. S series pro all benefits of a fast switching ovide b f sD S D G GG S D G SJ-MOSFE while of an extr

 8.3. Size:655K  way-on
wml15n65c2 wmk15n65c2 wmm15n65c2 wmn15n65c2 wmp15n65c2 wmo15n65c2.pdf

MP15N60EIF
MP15N60EIF

WML1 MM15N65C15N65C2, WMK15N65C2, WM C2 WMN15N65C2, WMP15N65C2, WM C2 MO15N65C 650V n Power MOSFETV 0.32 Super JunctionDescripptionWMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTD2955T4G

 

 
Back to Top