Справочник MOSFET. MP20N60EI

 

MP20N60EI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MP20N60EI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 67.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 247 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP20N60EI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  jilin sino
 mp20n60ei.pdf pdf_icon

MP20N60EI

N RN-CHANNEL MOSFET MP20N60EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 600V Rdson-max 0.4 Vgs=10V Qg-Typ 67.6nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 7.1. Size:410K  fuji
 fmp20n60s1.pdf pdf_icon

MP20N60EI

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMP20N60S1 FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistance 4.50.2TO-220 10+0.5 01.30.2Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPS1.2 0.2ServerPRE-S

 7.2. Size:206K  inchange semiconductor
 fmp20n60s1.pdf pdf_icon

MP20N60EI

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FMP20N60S1FEATURESWith TO-220 packagingLow switching lossLow on-state resistanceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsDC-DC convertersUninterruptible power supplyABSOLUTE MAXIMUM RA

 8.1. Size:364K  cn wuxi unigroup
 tma20n65h tmp20n65h.pdf pdf_icon

MP20N60EI

TMA20N65H, TMP20N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA20N65H TO-220F A2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.