Справочник MOSFET. MP7AN65EF

 

MP7AN65EF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MP7AN65EF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для MP7AN65EF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP7AN65EF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1720K  jilin sino
 mp7an65ev mp7an65er mp7an65ec mp7an65ef.pdf pdf_icon

MP7AN65EF

N RN-CHANNEL MOSFET MP7AN65E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650V Rdson-max 1.25 Vgs=10V Qg-Typ 20nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

Другие MOSFET... MP18N50EIC , MP18N50EIF , MP20N60EI , MP2N60ER , MP4N150 , MP4N50FR , MP4N60ER , MP7AN65EC , 20N50 , MP7AN65ER , MP7AN65EV , MP88N25C , MP9N150 , MS65R120C , MS65R120F , MS65R120GE , MS65R120S .

History: HAT2016R | NDD60N900U1 | DMN67D8LW | AP90T06GP-HF | BRCS120N06SYM | SQ3456BEV | P1850EF

 

 
Back to Top

 


 
.