MS65R120GE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MS65R120GE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для MS65R120GE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS65R120GE даташит

 ..1. Size:994K  jilin sino
 ms65r120f ms65r120ge ms65r120c ms65r120s.pdf pdf_icon

MS65R120GE

N R N-CHANNEL MOSFET MS65R120 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.120 @Vgs=10V Qg-typ 58.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 8.1. Size:1099K  jilin sino
 ms65r170f ms65r170c ms65r170b ms65r170s ms65r170ge.pdf pdf_icon

MS65R120GE

 8.2. Size:973K  jilin sino
 ms65r190rf1 ms65r190rge.pdf pdf_icon

MS65R120GE

 8.3. Size:837K  jilin sino
 ms65r135r.pdf pdf_icon

MS65R120GE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MP7AN65EC, MP7AN65EF, MP7AN65ER, MP7AN65EV, MP88N25C, MP9N150, MS65R120C, MS65R120F, IRF1407, MS65R120S, MS65R135R, MS65R170B, MS65R170C, MS65R170F, MS65R170GE, MS65R170S, MS65R190RF1