FDZ371PZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDZ371PZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm
Тип корпуса: WLCSP
FDZ371PZ Datasheet (PDF)
fdz371pz.pdf
July 2014FDZ371PZP-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -3.7 A, 75 mFeatures General Description Max rDS(on) = 75 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.0 A Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 90 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 Athe FDZ371PZ minimizes bot
fdz375p.pdf
April 2010FDZ375PP-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET -20 V, -3.7 A, 78 mFeatures General Description Max rDS(on) = 78 m at VGS = -4.5 V, ID = -2.0 ADesigned on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 92 m at VGS = -2.5 V, ID = -1.5 Athe FDZ375P minimizes bot
fdz372nz.pdf
March 2010FDZ372NZN-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET 20 V, 4.7 A, 50 mFeatures General DescriptionDesigned on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process Max rDS(on) = 50 m at VGS = 4.5 V, ID = 2 Awith state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, Max rDS(on) = 60 m at VGS = 2.5 V, ID = 2 Athe FDZ372NZ minimizes both PCB sp
Другие MOSFET... FDY302NZ , FDY4000CZ , SDT02N02 , FDZ1905PZ , FDZ191P , FDZ192NZ , FDZ193P , FDZ197PZ , STP80NF70 , FDZ372NZ , FDZ375P , FDZ391P , FQA10N80CF109 , SDF08N50 , FQA11N90F109 , FQA11N90CF109 , FQA13N50CF .
