Справочник MOSFET. MT04N004B

 

MT04N004B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MT04N004B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 72.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 83.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 429 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для MT04N004B

 

 

MT04N004B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  jilin sino
 mt04n004b.pdf

MT04N004B MT04N004B

N N-CHANNEL MOSFET MT04N004B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 120A VDSS 40V Rdson-max - 4.0m (@Vgs=10V Qg-typ 72.7nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Uninterrupt

 7.1. Size:938K  jilin sino
 mt04n005al.pdf

MT04N004B MT04N004B

N N-CHANNEL MOSFET MT04N005AL MAIN CHARACTERISTICS Package ID 130A VDSS 40V Rdson-max - 4.9m (@Vgs=10V Qg-typ 50.7nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Uninterrup

 9.1. Size:341K  champion
 cmt04n60.pdf

MT04N004B MT04N004B

CMT04N60 POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to Higher Current Rating withstand high energy in the avalanche mode and switch Lower Rds(on)efficiently. This new high energy device also offers a Lower Capacitancesdrain-to-source diode with fast recovery time. Designed for Lower Total Gate Charge high voltage, high speed switc

 9.2. Size:981K  way-on
 wmt04n10ts.pdf

MT04N004B MT04N004B

WMT04N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT04N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 3.5A DS DR

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top