MT6JN009A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MT6JN009A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 114.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MT6JN009A Datasheet (PDF)
mt6jn009a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MT6JN009A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 95A VDSS 68V Rdson-max - 9.0m (@Vgs=10V Qg-typ 54.7nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive a
mt6jn008a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MT6JN008A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 90A VDSS 68V Rdson-max - 8.0m (@Vgs=10V Qg-typ 64nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: PHD97NQ03LT | SI7913DN | SWD6N65K | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F
History: PHD97NQ03LT | SI7913DN | SWD6N65K | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488