NCE0102B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE0102B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для NCE0102B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0102B даташит

 ..1. Size:346K  ncepower
 nce0102b.pdf pdf_icon

NCE0102B

http //www.ncepower.com NCE0102B NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0102B uses advanced trench technology and D design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. G General Features S VDS = 100V,ID = 1.8A RDS(ON)

 7.1. Size:621K  ncepower
 nce0102e.pdf pdf_icon

NCE0102B

NCE0102E http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0102E uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 100V,I = 2A DS D R

 7.2. Size:287K  ncepower
 nce0102m.pdf pdf_icon

NCE0102B

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0102M NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE0102M uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 7.3. Size:303K  ncepower
 nce0102z.pdf pdf_icon

NCE0102B

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0102Z NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE0102Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MT28N20A, MT40N20A, MT6JN008A, MT6JN009A, 2SK2049, A2N7002K, BSS123K, NCE0102A, AO4407A, NCE0102E, NCE0102M, NCE0102Z, NCE0103, NCE0104AN, NCE0104S, NCE0105M, NCE0106AR