Справочник MOSFET. NCE0102B

 

NCE0102B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE0102B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для NCE0102B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0102B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  ncepower
nce0102b.pdfpdf_icon

NCE0102B

http://www.ncepower.com NCE0102BNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0102B uses advanced trench technology and Ddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features S VDS = 100V,ID = 1.8A RDS(ON)

 7.1. Size:621K  ncepower
nce0102e.pdfpdf_icon

NCE0102B

NCE0102Ehttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0102E uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I = 2ADS DR

 7.2. Size:287K  ncepower
nce0102m.pdfpdf_icon

NCE0102B

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0102MNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE0102M uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 7.3. Size:303K  ncepower
nce0102z.pdfpdf_icon

NCE0102B

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0102ZNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE0102Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... MT28N20A , MT40N20A , MT6JN008A , MT6JN009A , 2SK2049 , A2N7002K , BSS123K , NCE0102A , AO3407 , NCE0102E , NCE0102M , NCE0102Z , NCE0103 , NCE0104AN , NCE0104S , NCE0105M , NCE0106AR .

History: TK14C65W | 2SK1165 | 2SK2397-01MR | BRCS25N60PH | NDD03N40Z | FTK2312 | CEU03N8

 

 
Back to Top

 


 
.