NCE0105M - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

NCE0105M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE0105M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для NCE0105M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

NCE0105M даташит

..1. Size:668K ncepower
nce0105m.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE0105M NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0105M uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 100V,I = 5A DS D R

8.1. Size:621K ncepower
nce0102e.pdf pdf_icon

NCE0102E http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0102E uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 100V,I = 2A DS D R

8.2. Size:287K ncepower
nce0102m.pdf pdf_icon

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0102M NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE0102M uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

8.3. Size:303K ncepower
nce0102z.pdf pdf_icon

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0102Z NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE0102Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)