Справочник MOSFET. NCE0224AF

 

NCE0224AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE0224AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для NCE0224AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0224AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  ncepower
 nce0224af.pdf pdf_icon

NCE0224AF

Pb Free ProductNCE0224AFhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224AF uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 6.1. Size:338K  ncepower
 nce0224a.pdf pdf_icon

NCE0224AF

Pb Free ProductNCE0224Ahttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 6.2. Size:389K  ncepower
 nce0224ak.pdf pdf_icon

NCE0224AF

Pb Free ProductNCE0224AKhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 7.1. Size:326K  ncepower
 nce0224f.pdf pdf_icon

NCE0224AF

http://www.ncepower.com NCE0224FNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224F uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE01P30I , NCE01P30K , NCE01P30L , NCE01P35K , NCE0203S , NCE0205IA , NCE0208IA , NCE0224A , 5N60 , NCE0224AK , NCE0224DA , NCE0224F , NCE0250D , NCE0260P , NCE0260T , NCE0270T , NCE0275 .

History: BLF645 | TSJ10N10AT | BUK9535-100A | RTR040N03TL | ME60N04 | LSB65R380HT

 

 
Back to Top

 


 
.