Справочник MOSFET. NCE1505S

 

NCE1505S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE1505S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для NCE1505S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE1505S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  ncepower
nce1505s.pdfpdf_icon

NCE1505S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1505SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1505S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =5.2A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:365K  ncepower
nce1503s.pdfpdf_icon

NCE1505S

http://www.ncepower.com NCE1503SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1503S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS = 150V,ID = 3A RDS(ON)

 8.2. Size:331K  ncepower
nce1507ak.pdfpdf_icon

NCE1505S

http://www.ncepower.com NCE1507AKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1507AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 150V,ID = 7A Schematic diagram RDS(ON)

 8.3. Size:301K  ncepower
nce1502r.pdfpdf_icon

NCE1505S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1502RNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE1502R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 150V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE035P40GU , NCE1012E , NCE1013E , NCE1102N , NCE1205 , NCE1490 , NCE14P40K , NCE1504R , 20N50 , NCE1507AK , NCE1512IA , NCE1520 , NCE1520K , NCE1520KA , NCE1540AD , NCE1540AF , NCE1540KA .

History: STB12NM60N | 2SJ599-Z

 

 
Back to Top

 


 
.