Справочник MOSFET. NCE15P25JI

 

NCE15P25JI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE15P25JI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для NCE15P25JI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE15P25JI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  ncepower
nce15p25ji.pdfpdf_icon

NCE15P25JI

http://www.ncepower.com NCE15P25JI NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25JI uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-25A DS DSchematic diagram RDS(ON)

 5.1. Size:532K  ncepower
nce15p25j.pdfpdf_icon

NCE15P25JI

http://www.ncepower.com NCE15P25J NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25J uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-25A Schematic diagram DS DRDS(ON)

 5.2. Size:517K  ncepower
nce15p25jk.pdfpdf_icon

NCE15P25JI

NCE15P25JK http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25JK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-25A Schematic diagram DS DRDS(ON)

 6.1. Size:527K  ncepower
nce15p25i.pdfpdf_icon

NCE15P25JI

http://www.ncepower.com NCE15P25I NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25JI uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-25A DS DSchematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE1540AF , NCE1540KA , NCE1550F , NCE15H10 , NCE15H10A , NCE15P25 , NCE15P25I , NCE15P25J , 2N60 , NCE15P25JK , NCE15P30 , NCE15P30K , NCE1608N , NCE16P07J , NCE16P40Q , NCE1805S , NCE1810AK .

History: KP8M4 | SML5025AN | PTF4N65 | NCE0130A | STD4N90K5 | KNP3508A | FW201

 

 
Back to Top

 


 
.