NCE15P30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE15P30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для NCE15P30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE15P30 даташит

 ..1. Size:770K  ncepower
 nce15p30.pdf pdf_icon

NCE15P30

http //www.ncepower.com NCE15P30 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P30 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be used DS(ON) in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-30A Schematic diagram DS D R

 0.1. Size:796K  ncepower
 nce15p30k.pdf pdf_icon

NCE15P30

http //www.ncepower.com NCE15P30K NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P30K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-30A Schematic diagram DS D R

 8.1. Size:532K  ncepower
 nce15p25j.pdf pdf_icon

NCE15P30

http //www.ncepower.com NCE15P25J NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25J uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-25A Schematic diagram DS D RDS(ON)

 8.2. Size:527K  ncepower
 nce15p25i.pdf pdf_icon

NCE15P30

http //www.ncepower.com NCE15P25I NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25JI uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-25A DS D Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE1550F, NCE15H10, NCE15H10A, NCE15P25, NCE15P25I, NCE15P25J, NCE15P25JI, NCE15P25JK, IRF2807, NCE15P30K, NCE1608N, NCE16P07J, NCE16P40Q, NCE1805S, NCE1810AK, NCE1826K, NCE2004Y