NCE1810AK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE1810AK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 180 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCE1810AK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE1810AK даташит

 ..1. Size:384K  ncepower
 nce1810ak.pdf pdf_icon

NCE1810AK

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE1810AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1810AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =180V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:388K  ncepower
 nce1826k.pdf pdf_icon

NCE1810AK

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE1826K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1826K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =185V,ID =26A RDS(ON)

 9.2. Size:331K  ncepower
 nce1805s.pdf pdf_icon

NCE1810AK

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE1805S NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1805S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =185V,ID =5A RDS(ON)

 9.3. Size:295K  ncepower
 nce18nd11u.pdf pdf_icon

NCE1810AK

NCE18ND11U http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE18ND11U uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =18V,ID =11A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE15P25JI, NCE15P25JK, NCE15P30, NCE15P30K, NCE1608N, NCE16P07J, NCE16P40Q, NCE1805S, 75N75, NCE1826K, NCE2004Y, NCE2006Y, NCE2012, NCE2013J, NCE2014ES, NCE2025I, NCE2025S