NCE1810AK - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE1810AK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE1810AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NCE1810AK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE1810AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  ncepower
 nce1810ak.pdf pdf_icon

NCE1810AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1810AKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1810AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =180V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:388K  ncepower
 nce1826k.pdf pdf_icon

NCE1810AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1826KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1826K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =185V,ID =26A RDS(ON)

 9.2. Size:331K  ncepower
 nce1805s.pdf pdf_icon

NCE1810AK

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1805SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1805S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =185V,ID =5A RDS(ON)

 9.3. Size:295K  ncepower
 nce18nd11u.pdf pdf_icon

NCE1810AK

NCE18ND11Uhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE18ND11U uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =18V,ID =11A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE15P25JI , NCE15P25JK , NCE15P30 , NCE15P30K , NCE1608N , NCE16P07J , NCE16P40Q , NCE1805S , IRF520 , NCE1826K , NCE2004Y , NCE2006Y , NCE2012 , NCE2013J , NCE2014ES , NCE2025I , NCE2025S .

 

 
Back to Top

 


 
.