NCE2012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE2012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 402 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для NCE2012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE2012 даташит

 ..1. Size:371K  ncepower
 nce2012.pdf pdf_icon

NCE2012

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE2012 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2012 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =12A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:298K  ncepower
 nce2010e.pdf pdf_icon

NCE2012

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE2010E NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2010E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features

 8.2. Size:691K  ncepower
 nce2013j.pdf pdf_icon

NCE2012

http //www.ncepower.com NCE2013J NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2013J uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. General Features Schematic diagram V = 20V,I = 13A DS D R

 8.3. Size:413K  ncepower
 nce2014es.pdf pdf_icon

NCE2012

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE2014ES NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2014ES uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =14A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE1608N, NCE16P07J, NCE16P40Q, NCE1805S, NCE1810AK, NCE1826K, NCE2004Y, NCE2006Y, IRF1405, NCE2013J, NCE2014ES, NCE2025I, NCE2025S, NCE2030U, NCE2090K, NCE20NP1006S, NCE20P05J