NCE30H15BK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NCE30H15BK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 106 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 770 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для NCE30H15BK
NCE30H15BK Datasheet (PDF)
nce30h15bk.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE30H15BKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H15BK uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =150ADS DR
nce30h15bg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
http://www.ncepower.com NCE30H15BGNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =30V,I =150ADS DDescriptionR
nce30h15b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE30H15BNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H15B uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =150ADS DR
nce30h15k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H15KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)
nce30h15.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H15NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .