NCE30H33LL - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

NCE30H33LL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30H33LL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 330 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1672 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для NCE30H33LL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

NCE30H33LL даташит

..1. Size:643K ncepower
nce30h33ll.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE30H33LL NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Description V =30V ,I =330A DS D The NCE30H33LL uses advanced trench technology and R

8.1. Size:331K ncepower
nce30h10g.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE30H10G NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065G uses advanced trench technology and design General Features to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be VDS =30V,ID =100A used in a wide variety of applications. RDS(ON)=1.9m (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=2.9m (typical) @ VGS=4.5V Application DC/

8.2. Size:754K ncepower
nce30h15bg.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE30H15BG NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =30V,I =150A DS D Description R

8.3. Size:417K ncepower
nce30h14k.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE30H14K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H14K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =140A RDS(ON)